An ionbeam is a type of An ionbeam is a type of particle beam consisting of ions.
Ionbeams have many uses in electronics manufacturing (principally ion implantation) and other industries.
아르곤 이온은 위의 과정으로 생성 됩니다.
전자기 코일 또는 영구 자석으로부터 얻은 자기장은 종종 전자의 소용돌이를 만들기 위해 양극과 음극 사
- 가장 보편화된 나노기술현재 인간이 가지고 있는 보편화된 기술 중 가장 미세한 구조물을 만들어내는 방법이 있다면 그것은 포토리소그래피일 것이다.포토리소그래피는 실제 전자집적회로> 제작에 사용되는 기술로써 그 원리는 다음과 같다.크롬층과 유리기판의 맨 위에 놓인 감광고분자 막 위에 레
High vacuum should be kept in
the chamber not to contain
oxigen
gas which damages
substrate surface
After reaching sufficient
vacuum, argon gas is added
into the chamber to generate
argon cation.
The gas ion have a collision on
the targeting material affording
to a electron emmition.
The electrons are deposited on
the surface of substrate forming
metalic
coating
Ion ImplantationIonized dopant atoms are physically forced into the silicon crystal by accelerating them through high potentials (3 kV- 3 MV) toward the silicon wafer.
– Mass separator allows each implanter to run multiple
processes (B, P, BF2, As...)
– Low temperature (room temperature ~200 °C)
• can use photoresist as a mask
– Needs to be followed by an anneal
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전
혼합된 시료성분이 이동상 과 고정상 사이를 흐르면서 흡착, 분배, 이온교환 또는 분자크기 배재작용 등에 의해 각각의 단일 성분으로 분리되는 것을 말한다. 분리, 정성, 정량 등의 분석목적과 분리,정제,분취 목적에 이용된다.
1. Pump의 요건
a. 일정한 유속과 압력 유지.
b. 가동이 쉽고 다양한 용매를
Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되
1.2. 재료가 사용된 이유
투명 전도막(TCO : Transparent Conductive Oxide)이란, 가시광 영역에서 광 투과율이 우수해야 하고, 높은 전기전도도와 적절한 에칭 특성을 지녀야 한다. ITO는 가시광선 영역 (400nm ~ 700nm)에서 80%정도의 투과도를 가지며 optical band gap이 3.55eV를 가짐으로 인하여 가시광선 영역에서 높은
beam
To Vacuum Pumps
vapor stream
substrate holder
Three Ingot Feeders
Four Independent
ion Sources
To Vacuum Pumps
electron gun
그림2. E-beam장치의 구조도
② Thermal Evaporator
각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박 막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막 증착시에
이루어진다. ingot의 양에 증착되는 film의 양을 control 할 수 있으며 열전자를 사용하기 때문에 융점이 높은 물질도 쉽게 증착 할 수 있는 장점이 있다.
electron beam
To Vacuum Pumps
vapor stream
substrate holder
Three Ingot Feeders
Four Independent
ion Sources
To Vacuum Pumps
electron gun
그림2. E-beam장치의 구조도